伺服驱动器

Wolfspeed 碳化硅助力满足多种效率标准，能够在不牺牲精度或功率的情况下提高散热性能。

使用 Wolfspeed 碳化硅设计嵌入式伺服驱动器

伺服驱动器用于以绝对的高精度执行大功率操作。使用 Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 设计系统，可打造出更小型、更高效且更精确的伺服驱动器，使其能够以更快的转速运行，而无需在机械齿轮上进行额外投资。通过使用碳化硅来重新设计伺服驱动器，还能将驱动器集成到电机内部，从而打造出紧凑型嵌入式驱动器，从而大幅减少所需电缆数量和电源柜体积，缩减占用的工厂地面空间，并降低整体系统成本。

通过 Wolfspeed 全面的 650 V、新款 750 V 和 1200 V MOSFET 产品组合以及功率模块，工程师在伺服驱动器中使用碳化硅进行设计时拥有更高灵活性，可帮助其根据特定需求进行定制设计。

工程师能从多种封装类型中进行选择，设计出可将系统整体效率提高 2.6% 或以上的定制解决方案。与高速软特性 IGBT 相比，Wolfspeed 的 MOSFET 的导通损耗更低，开关损耗大幅降低，再加上经过优化的整体系统，可显著提高伺服驱动器的性能，同时降低可闻噪声。

使用 25 kW FM3 三相逆变器快速评估您的设计

*Wolfspeed 的 CRD25DA12N-FMC 针对工业电机驱动器设计人员进行开发。*

Wolfspeed Power Reference Design — *Wolfspeed 的 CRD25DA12N-FMC 针对工业电机驱动器设计人员进行开发。*

Wolfspeed 新推出的 25 kW FM3 三相逆变器参考设计方案针对工业电机驱动器进行设计，旨在为前期碳化硅设计工作提供全面支持。CRD25DA12N-FMC 作为一种简单的三相逆变器拓扑结构，可实现开包即用的快速性能评估。该参考设计具有通用功率级的灵活性，因此易于适应其他应用场景，从而成为评估或提高工业电机驱动器功率水平的理想解决方案。该设计采用 Wolfspeed 的 21 mΩ 六管集成 WolfPACK™ 模块，预先涂布了热界面材料 TIM，峰值效率超过 99.5%，功率密度为 5.7 kW/L，能够在高达 100 kHz 的开关频率下输出 30 A 的 rms 电流。

使用 SpeedFit™ 设计仿真工具加速您的伺服驱动器系统设计过程

观看 Wolfspeed 的 Sidharth Gupta 演示如何使用 SpeedFit 设计仿真工具快速测试 Wolfspeed 的碳化硅功率器件，并设计更高效、更小型、更安静的伺服驱动器。SpeedFit 提供详尽的散热器参数供您选择，使您的仿真更接近实时条件和实施方案。

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用于伺服驱动器的 Wolfspeed 碳化硅器件

Wolfspeed 产品凝聚数十年的丰富经验和专精技术，质量与创新的完美结合将帮助您的设计更上一层楼。

分立碳化硅 MOSFET

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分立碳化硅 MOSFET

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分立碳化硅 MOSFET

Product SKU	Blocking Voltage	R_DS(ON) at 25°C	Generation	Current Rating	Gate Charge Total	Output Capacitance	Total Power Dissipation (P_TOT)	Maximum Junction Temperature	Package	Qualification
C3M0060075K1 New	750 V	60 mΩ	Gen 3 MOS	35 A	52 nC	69 pF	126 W	175 °C	TO-247-4 LP	Industrial
C3M0025075K1 New	750 V	25 mΩ	Gen 3 MOS	80 A	119 nC	158 pF	262 W	175 °C	TO-247-4 LP	Industrial
C3M0045075K1 New	750 V	45 mΩ	Gen 3 MOS	42 A	65 nC	95 pF	139 W	175 °C	TO-247-4 LP	Industrial
C3M0032120J1	1200 V	32 mΩ	Gen 3	68 A	111 nC	133 pF	277 W	150 °C	TO-263-7 XL	Industrial
C3M0060065J	650 V	60 mΩ	Gen 3	36 A	46 nC	80 pF	136 W	175 °C	TO-263-7	Industrial
C3M0045065J1	650 V	45 mΩ	Gen 3	47 A	61 nC	101 pF	147 W	175 °C	TO-263-7 XL	Industrial
C3M0015065K	650 V	15 mΩ	Gen 3	120 A	188 nC	289 pF	416 W	175 °C	TO-247-4	Industrial
C3M0040120J1	1200 V	40 mΩ	Gen 3	64 A	61 nC	94 pF	272 W	150 °C	TO-263-7 XL	Industrial
C3M0075120J	1200 V	75 mΩ	Gen 3	30 A	51 nC	58 pF	113.6 W	150 °C	TO-263-7	Industrial
C3M0075120K	1200 V	75 mΩ	Gen 3	32 A	51 nC	58 pF	113.6 W	150 °C	TO-247-4	Industrial

分立碳化硅肖特基二极管

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分立碳化硅肖特基二极管

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分立碳化硅肖特基二极管 - Filter By

分立碳化硅肖特基二极管

Product SKU	Blocking Voltage	Current Rating	Generation	Forward Voltage(V_F(type))	Maximum Continuous Current (IF)	Total Capacitive Charge (Q_C (typ))	Total Power Dissipation (P_TOT)	Package	Qualification
C6D30065H	650 V	30 A	Gen 6	1.35 V	88 A	98 nC	227 W	TO-247-2	Industrial
C6D20065H	650 V	20 A	Gen 6	1.27 V	20 A	63 nC	174 W	TO-247-2	Industrial
C6D50065H	650 V	50 A	Gen 6	1.3 V	50 A	158 nC	349 W	TO-247-2	Industrial
C6D16065D	650 V	16 A	Gen 6	1.27 V	16 A	29 nC	100 W	TO-247-3	Industrial
C3D16065A	650 V	16 A	Gen 3	1.5 V	16 A	44 nC	150 W	TO-220-2	Industrial
C4D10120E	1200 V	10 A	Gen 4	1.5 V	10 A	52 nC per leg	170 W	TO-252-2	Industrial

碳化硅功率模块

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碳化硅功率模块

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碳化硅功率模块 - Filter By

碳化硅功率模块

Product SKU	Package	Configuration	Blocking Voltage	Current Rating	R_DS(ON) at 25°C	Generation	Maximum Junction Temperature	Module Size	Qualification
WAS530M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	530 A	2.6 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial + HV-H3TRB
WAS350M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	350 A	4 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial + HV-H3TRB
WAS175M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	175 A	8 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial + HV-H3TRB
WAB400M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	400 A	3.25 mΩ	Gen 3 MOS	175 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial + HV-H3TRB
WAB300M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	300 A	4 mΩ	Gen 3 MOS	175 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial + HV-H3TRB
CBB032M12FM3T	FM	Full-Bridge	1200 V	37 A	32 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CBB032M12FM3	FM	Full-Bridge	1200 V	37 A	32 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CBB021M12FM3T	FM	Full-Bridge	1200 V	48 A	21 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CBB021M12FM3	FM	Full-Bridge	1200 V	48 A	21 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CAS530M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	530 A	2.6 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial
CAS350M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	350 A	4 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial
CAS310M17BM3	62 mm	Half-Bridge	1700 V	310 A	4.29 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial
CAS300M17BM2	62 mm	Half-Bridge	1700 V	225 A	8 mΩ	Gen 2 MOS + Diodes	150 °C	106 x 62 x 30 mm	Industrial
CAS300M12BM2	62 mm	Half-Bridge	1200 V	300 A	4.2 mΩ	Gen 2 MOS + Diodes	150 °C	106 x 62 x 30 mm	Industrial
CAS175M12BM3	62 mm	Half-Bridge	1200 V	175 A	8 mΩ	Gen 3 MOS + Diodes	150 °C	105 x 62 x 31 mm	Industrial
CAS120M12BM2	62 mm	Half-Bridge	1200 V	120 A	13 mΩ	Gen 2 MOS + Diodes	150 °C	106 x 62 x 30 mm	Industrial
CAB011M12FM3T	FM	Half-Bridge	1200 V	117 A	11 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CAB011M12FM3	FM	Half-Bridge	1200 V	117 A	11 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial
CAB011A12GM3T	GM	Half-Bridge	1200 V	141 A	11 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB011A12GM3	GM	Half-Bridge	1200 V	141 A	11 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB008M12GM3T	GM	Half-Bridge	1200 V	160 A	8 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB008M12GM3	GM	Half-Bridge	1200 V	160 A	8 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB008A12GM3T	GM	Half Bridge (AlN substrate)	1200 V	181 A	8 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB008A12GM3	GM	Half Bridge (AlN substrate)	1200 V	181 A	8 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB006M12GM3T	GM	Half-Bridge	1200 V	200 A	6 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB006M12GM3	GM	Half-Bridge	1200 V	200 A	6 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB006A12GM3T	GM	Half Bridge (AlN substrate)	1200 V	200 A	6 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CAB006A12GM3	GM	Half Bridge (AlN substrate)	1200 V	200 A	6 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 56.7 mm	Industrial
CCB032M12FM3	FM	Six-pack (three-phase)	1200 V	30 A	32 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Industrial

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参考设计

Product SKU	Name	Type	Topology	Power	Discrete/Module	Package	Device SKU(s)	Designed By
CRD-03600AD065E-L	3.6 kW Bridgeless Totem-Pole PFC with Synchronous SiC MOSFETs	AC to DC	Totem-Pole PFC	3.6kW	Discrete	TOLL, TO-247-3	C3M0045065L C3M0015065D	Wolfspeed
CRD07500AA12N-FMC	7.5 kW FM3 Three-Phase Motor Drive	AC to DC, DC to AC	Passive Rectifier and Three-Phase, 2-Level	7.5kW	Module	FM	CCB032M12FM3	Wolfspeed
CRD-11DA12N-K New	11 kW High Efficiency Three-Phase Motor Drive Inverter	DC to AC	Three-Phase, 2-Level	11kW	Discrete	TO-247-4, TO-263-7	C3M0075120K C2M1000170J	Wolfspeed
CRD-22AD12N	22 kW Bi-Directional Active Front End (AFE)	AC to DC	Three-Phase, 2-Level	22kW	Discrete	TO-247-4	C3M0032120K	Wolfspeed
CRD25DA12N-FMC	25 kW FM3 Three-Phase Inverter	DC to AC	Three-Phase, 2-Level	25kW	Module	FM	CCB021M12FM3T	Wolfspeed
CRD200DA12E-XM3	200 kW XM3 Three-Phase Inverter	DC to AC	Three-Phase, 2-Level	200kW	Module	XM	CAB400M12XM3 CGD12HBXMP	Wolfspeed
CRD250DA12E-XM3	250 kW XM3 Three-Phase Inverter	DC to AC	Three-Phase, 2-Level	250kW	Module	XM	CAB425M12XM3 CGD12HBXMP	Wolfspeed
CRD300DA12E-XM3	300 kW XM3 Three-Phase Inverter	DC to AC	Three-Phase, 2-Level	300kW	Module	XM	CAB450M12XM3 CGD12HBXMP	Wolfspeed
CRD600DA12E-XM3	600 kW XM3 High Performance Dual Three-Phase Inverter	DC to AC	Dual Three-Phase, 2-Level	600kW	Module	XM	CAB450M12XM3 CGD12HBXMP	Wolfspeed

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功率模块：一种满足 EMI 规范的捷径

The design and geometry of power modules enable EMI modeling which empowers designers to predict and understand their system’s EMI behavior early in the design process.

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使用 SpeedFit™ 设计仿真器，对于采用碳化硅的工业电机驱动进行设计仿真

快速测试 Wolfspeed 的碳化硅功率器件，设计更高效、更小型、更安静的工业单相和三相电机驱动系统，涵盖工业低电压电机驱动、伺服驱动、热泵与空调的压缩机等。SpeedFit 提供了散热器参数的具体选择，使得您的仿真更加贴近于实际的条件和运行。

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工业驱动

在低电压电机驱动中使用 Wolfspeed SiC 进行设计的优势

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功率模块：一种满足 EMI 规范的捷径